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    高密度存储和磁电子材料的关键技术取得了突破

    发布时间:2019-10-03 18:40 浏览次数:110 作者:贵州11选5 文章来源:贵州11选5

      高灵敏度磁传、感器和隔离耦合设备是一种、新型的存储和磁电子技!术,具有良好的、应用前景。在移动通信、个人计算机、数码相机、电子标签等领域具有广泛的市场价值。“十二五”!期间,863计划在新,材料技术领域支持高密度存储和,磁电子材料!关键技术。最近,科技部高科技部在北京组织了一位专家来接受这个主题项目。

      本项目开展了与CMOS工艺兼容的阻变和电极材料组合系统研制的TaOX阻变存储器。芯!片制造基于中芯国际一体化电路制造有限公司8英寸0.,13毫米标准逻辑生产线芯片读取时间达到10纳秒。操作电压满足0.13nm或0.1nm技术标准逻辑工艺IO承载电压,开发出低热导率新型超晶体相变材料。开发了不对称的环形微电极结构相变存储器、单元,以制备相变存储!器阵列,并对磁电子材料进行了研究,如磁隧道结构。!磁性传感器原型装置;是基于磁性电子材料的双芯!和三芯单通道数据隔离耦合接口芯片。该项目的、实施突破了先进的高密度存储和磁电子设备的关键技术。它在我,国新型电子材料技术和;信息产业的发展中起着重要的作用。

      “十三五”期间,科技部制定了“十三五”规划,以、促进我国材料领域的科技创新和产业化发展。并将战略先进电子材料作为第三代半导体和微电!子!材料开发的重点之一,。为了!解决半导体和微电子产业面临的重大共同问题,核心半导体材料的设计和!生产过程,的优化和关键技术的发展取得了突破。努力促进跨境技术的集成,抓住先进电子技术的高度.

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